CMOS传感器根据结构可以分成前照式（最传统的）、背照式和堆栈式。堆栈式（也译为堆叠式、积层式）是在背照式基础上的进一步发展，同时也是目前最先进的结构。
* 堆栈式是更先进的背照式传感器，因此也有厂商会将其称为“背照堆栈式”传感器。
(资料图片)
**索尼CMOS产品的品牌是Exmor，背照式叫ExmorR，而堆栈式叫ExmorRS。
堆栈式CMOS的主要特点包括：
①实现了像素、电路的分层放置，电路层代替了背照式CMOS中的基板。
②电路部分拥有了更大的空间，也能引入更先进的制造工艺来进一步扩大规模，进而让整块CMOS达到更高性能。
③ 除了像素层和电路层外，还可以附加高速缓存层（DRAM）进一步提高数据传输速度；或将光电二极管与像素晶体管分层放置进一步提高成像质量。
④因为堆叠放置，整个CMOS模块的尺寸可以更小巧。
总结下来，堆栈结构的是让传感器速度更快、尺寸更小。速度快，不仅能提升对焦、连拍性能，还能提供更具可用性的电子快门（畸变小、视频果冻小、可以闪光同步）；尺寸小，则有利于手机、智能手表、MR/AR眼镜等空间寸土寸金的设备。
↓以下结构示意图均来自索尼新闻稿↓
▲背照式CMOS（左）与堆栈式CMOS（右）
▲普通堆栈式CMOS（左）与集成DRAM的堆栈式CMOS（右）
▲普通CMOS（左）与双层晶体管像素堆栈式CMOS（右）
堆栈式传感器的最大缺点是成本高（尤其是内置DRAM的产品）。因此从2015年索尼RX100M4、RX10M2在相机领域首次引入堆栈式CMOS以来，到现在采用堆栈式传感器的相机依然数量有限——可换镜头产品就更少了，两只手就能数过来。
*新一代手机里，绝大部分传感器都是堆栈式了。大多数产品主要利用小的特性，速度上到没有特别夸。
索尼（均包含DRAM）
Alpha 1（2021年1月，全画幅，50MP）
Alpha9II（2019年10月，全画幅，24MP）
Alpha9（2017年4月，全画幅，24MP）
RX100M4/M5/M5A/M6/M7、RX10M2/M3/M4、ZV-1/ZV-1F（均为Type120MP）
佳能
EOSR3（2021年4月，全画幅，24MP）
G7XIII、G5XII（2019年7月，Type1，20MP，无DRAM）
尼康Z9（2021年10月，全画幅，45MP，应该具备DRAM）
奥之心OM-1（2022年2月，Type4/3，20MP）
富士X-H2S（2022年5月，APS-C，26MP）
